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    HMDS真空烘箱在半導體工藝中的解決方案
    更新時間:2014-05-13 13:36:48
    HMDS真空烘箱在半導體工藝中的解決方案

    半導體生產工藝分析:
    在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。

    客戶提出要求:
    1.用途:提高光刻膠與硅片的黏附性。
    2.參數要求:使用溫度130度,真空達到負壓即可,內膽尺寸:400寬*400深*300高,外形尺寸(沒有要求),附帶兩塊隔架,

    通過以上參數給出的解決方案如下:
    電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
    輸入功率:3000W
    控溫范圍:室溫+10℃-250℃
    溫度分辨率:0.1℃
    溫度波動度:±0.5℃
    達到真空度:133Pa
    容積:90L
    工作室尺寸(mm):450*450*450
    外形尺寸(mm):615*615*900
    載物托架:2塊
    時間單位:分鐘

    HMDS真空烘箱的原理:
    HMDS預處理系統通過對真空烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

    HMDS真空烘箱一般工作流程:
    先確定工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,冉次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。

    尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。

    以上為詳細方案及操作流程。

    部分客戶名單例舉:

    上海亞明燈泡廠
    上海精瓷照明電器有限公司
    GE(上海)有限公司

    寧波亞茂照明電器有限公司
    飛利浦(上海)有限公司
    嘉善三英燈飾有限公司

     

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